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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código de encomenda4695758RL
Também conhecido porIMCQ120R053M2H, SP005974969
Ficha técnica
550 Em Stock
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Quantidade | |
---|---|
10+ | 6,620 € |
50+ | 6,070 € |
100+ | 5,520 € |
250+ | 5,410 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 1
71,20 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código de encomenda4695758RL
Também conhecido porIMCQ120R053M2H, SP005974969
Ficha técnica
Descrição geral do produto
IMCQ120R053M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 39A at TC = 100°C
- RDS(on) = 52.6mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos