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IPA093N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPA093N06N3GXKSA1
Código de encomenda2710010
Gama de produtosOptiMOS 3
Também conhecido porIPA093N06N3 G, SP000451088
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance7800µohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para IPA093N06N3GXKSA1
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00443