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IPD70N12S311ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 70 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
6.486 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,820 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 1,000 € |
| 500+ | 0,848 € |
| 1000+ | 0,825 € |
| 5000+ | 0,713 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD70N12S311ATMA1
Código de encomenda3775970
Gama de produtosOptiMOS T
Também conhecido porSP001400108, IPD70N12S3-11
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T
QualificationAEC-Q101
MSL-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00042
Rastreabilidade de produtos