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IPL60R125C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL60R125C7AUMA1
Código de encomenda2983364
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPL60R125C7, SP001385066
Ficha técnica
2.714 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,170 € |
| 10+ | 2,530 € |
| 100+ | 2,020 € |
| 500+ | 1,710 € |
| 1000+ | 1,600 € |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPL60R125C7AUMA1
Código de encomenda2983364
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPL60R125C7, SP001385066
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation103W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
Descrição geral do produto
IPL60R125C7AUMA1 is a 600V CoolMOS™ C7 power transistor. It is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Potential applications includes PFC stages and PWM stages (TTF,LLC) for high power/performance SMPS example computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- 4pin kelvin source concept
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching glosses
- Optimized PCB assembly and layout solutions
- Suitable for applications such as server, telecom and solar
- PG-VSON-4 package, operating junction temperature range from -40 to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
103W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos