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IPP60R099C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R099C7XKSA1
Código de encomenda2726067
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPP60R099C7, SP001298000
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 100+ | 2,800 € |
| 500+ | 2,200 € |
| 1000+ | 1,920 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP60R099C7XKSA1
Código de encomenda2726067
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPP60R099C7, SP001298000
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos