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IPW60R060C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW60R060C7XKSA1
Código de encomenda2781346
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPW60R060C7, SP001385020
Ficha técnica
621 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,380 € |
| 10+ | 4,350 € |
| 100+ | 3,070 € |
| 500+ | 2,400 € |
Unidades por pacoteEach
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPW60R060C7XKSA1
Código de encomenda2781346
Gama de produtosCoolMOS C7
Também conhecido porIPW60R060C7, SP001385020
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation162W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
162W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPW60R060C7XKSA1
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos