Imprimir página
IRFB3407ZPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Through Hole
1.558 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
Disponível até ao esgotamento do stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,160 € |
| 10+ | 1,590 € |
| 100+ | 1,290 € |
| 500+ | 1,190 € |
| 1000+ | 1,180 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
2,16 € (sem IVA)
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB3407ZPBF
Código de encomenda2839487
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porIRFB3407ZPBF, SP001560202
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance6400µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRFB3407ZPBF
3 produtos encontrados
Descrição geral do produto
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
6400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002801
Rastreabilidade de produtos