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IRFB7530PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB7530PBF
Código de encomenda2406514
Gama de produtosStrongIRFET HEXFET Series
Também conhecido porSP001575524
Ficha técnica
5.777 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,300 € |
| 10+ | 1,790 € |
| 100+ | 1,540 € |
| 500+ | 1,430 € |
| 1000+ | 1,420 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
3,30 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFB7530PBF
Código de encomenda2406514
Gama de produtosStrongIRFET HEXFET Series
Também conhecido porSP001575524
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Aplicações
Motor Drive & Control, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRFB7530PBF
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00195
Rastreabilidade de produtos