Imprimir página
3.301 Em Stock
2.500 Pode reservar stock agora
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
Quantidade | |
---|---|
100+ | 0,363 € |
500+ | 0,328 € |
1000+ | 0,298 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 5
41,30 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFL024ZTRPBF
Código de encomenda2725945RL
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001560488
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source On State Resistance0.0575ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Descrição geral do produto
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- 150°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0575ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000231
Rastreabilidade de produtos