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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,630 € |
| 10+ | 3,190 € |
| 100+ | 2,640 € |
| 500+ | 2,430 € |
| 1000+ | 2,380 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP3703PBF
Código de encomenda3155141
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001556744
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0002
Rastreabilidade de produtos