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IRLML2502TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2502TRPBF
Código de encomenda9102981
Também conhecido porSP001558336
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,438 € |
| 50+ | 0,265 € |
| 250+ | 0,144 € |
| 1000+ | 0,129 € |
| 3000+ | 0,0965 € |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2502TRPBF
Código de encomenda9102981
Também conhecido porSP001558336
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
The IRLML2502PBF is 20V single N channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 35mohm at Vgs 4.5V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of 4.2A at vgs 4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000045
Rastreabilidade de produtos