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IXFB210N30P3
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB210N30P3
Código de encomenda2429705
Ficha técnica
408 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 26,010 € |
| 5+ | 22,570 € |
| 10+ | 19,120 € |
| 50+ | 19,020 € |
| 100+ | 18,920 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
26,01 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB210N30P3
Código de encomenda2429705
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.89kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
The IXFB210N30P3 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features dynamic dv/dt rating, fast intrinsic rectifier and low drain-to-tab capacitance.
- Fast intrinsic rectifier
- Dynamic dv/dt rating
- Low drain to tab capacitance
- Easy to mount
- Space savings
Aplicações
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.89kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.01
Rastreabilidade de produtos