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IXFB30N120P
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB30N120P
Código de encomenda3438372
Gama de produtosPolar HiPerFET
Ficha técnica
188 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 39,080 € |
| 5+ | 36,890 € |
| 10+ | 34,690 € |
| 50+ | 32,500 € |
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB30N120P
Código de encomenda3438372
Gama de produtosPolar HiPerFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004
Rastreabilidade de produtos