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IXFP12N65X2
Power MOSFET, X2 Cls, N Channel, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFP12N65X2
Código de encomenda3438390
Gama de produtosX2-Class HiperFET
Ficha técnica
215 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,350 € |
| 10+ | 2,260 € |
| 100+ | 2,060 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFP12N65X2
Código de encomenda3438390
Gama de produtosX2-Class HiperFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.31ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX2-Class HiperFET
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.31ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X2-Class HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004