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IXTA76P10T
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Surface Mount
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTA76P10T
Código de encomenda3438409
Gama de produtosTrenchP
Ficha técnica
154 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,480 € |
| 5+ | 5,490 € |
| 10+ | 4,500 € |
| 50+ | 3,510 € |
| 100+ | 3,220 € |
| 250+ | 3,160 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
6,48 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTA76P10T
Código de encomenda3438409
Gama de produtosTrenchP
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-263AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation298W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Transistor Case Style
TO-263AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
298W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchP
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0025
Rastreabilidade de produtos