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IXFH60N65X2-4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFH60N65X2-4
Código de encomenda3996602
Gama de produtosHiPerFET Series
Ficha técnica
354 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 10,610 € |
| 5+ | 8,550 € |
| 10+ | 6,480 € |
| 50+ | 6,260 € |
| 100+ | 6,030 € |
| 250+ | 5,810 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFH60N65X2-4
Código de encomenda3996602
Gama de produtosHiPerFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation780W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos