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FabricanteMULTICOMP PRO
Nº da peça do fabricanteHMV4P1P02S
Código de encomenda4295182
Gama de produtosMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Ficha técnica
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Quantidade | |
---|---|
5+ | 0,419 € |
10+ | 0,336 € |
100+ | 0,240 € |
500+ | 0,167 € |
1000+ | 0,119 € |
5000+ | 0,105 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteMULTICOMP PRO
Nº da peça do fabricanteHMV4P1P02S
Código de encomenda4295182
Gama de produtosMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
The HMV4P1P02S is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage, low-current applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for efficient power management and precise control tasks. This MOSFET is well-suited for applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching circuits where compact size and high reliability are essential.
- Advanced Trench Technology
- Lead Free Product is Acquired
- ESD Rating : HBM 2.0KV
- Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Aplicações
Power Supplies, Motor Speed Controls, Portable Devices
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
Multicomp Pro P Channel MOSFETs
MSL
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para HMV4P1P02S
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000014
Rastreabilidade de produtos