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2N7002LT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002LT1G
Código de encomenda9558624RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.
- Halogen-free/BFR-free
- ±20VDC Gate to source voltage
- 60VDC Drain to gate voltage
- 417°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para 2N7002LT1G
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000454
Rastreabilidade de produtos