Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
45 Em Stock
800 Pode reservar stock agora
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
Quantidade | |
---|---|
1+ | 1,910 € |
10+ | 1,420 € |
100+ | 1,090 € |
500+ | 1,040 € |
1000+ | 0,967 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,91 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB28N30TM
Código de encomenda2453391
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.129ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation250W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The FDB28N30TM is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
- Improved dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- Fast switching
- 39nC typical low gate charge
- 35pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001312
Rastreabilidade de produtos