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Quantidade | |
---|---|
2500+ | 0,349 € |
7500+ | 0,342 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
872,50 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD120AN15A0
Código de encomenda2323168
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The FDD120AN15A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and micro solar inverter application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000489
Rastreabilidade de produtos