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Quantidade | |
---|---|
100+ | 0,467 € |
500+ | 0,364 € |
1000+ | 0,325 € |
5000+ | 0,286 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD4685
Código de encomenda1495263RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0003