Imprimir página
FDD6635
Power MOSFET, N Channel, 35 V, 59 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD6635
Código de encomenda3616026
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds35V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
35V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Não
Em conformidade com RoHS Flalatos:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.1
Rastreabilidade de produtos