Imprimir página
FDMC6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
17.248 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,807 € |
| 500+ | 0,631 € |
| 1000+ | 0,590 € |
| 5000+ | 0,520 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
85,70 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMC6679AZ
Código de encomenda2083251RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0086ohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The FDMC6679AZ is a P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS (ON) and ESD protection. It is suitable for load switch and battery pack applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 8kV typical HBM ESD protection level
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
MLP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDMC6679AZ
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000241
Rastreabilidade de produtos