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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDP060AN08A0
Código de encomenda1700638
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The FDP060AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
- Low Miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDP060AN08A0
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00204
Rastreabilidade de produtos