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Quantidade | |
---|---|
5+ | 1,510 € |
50+ | 1,080 € |
100+ | 0,771 € |
500+ | 0,619 € |
1000+ | 0,571 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
7,55 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD8P10TM-F085
Código de encomenda3368810
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0004
Rastreabilidade de produtos