Imprimir página
NDS332P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 14 semana(s)
Contactem-me quando voltar a existir em stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 3000+ | 0,138 € |
| 9000+ | 0,132 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
414,00 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNDS332P
Código de encomenda2438488
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The NDS332P is a P-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications such as battery powered circuits where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Proprietary package design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000454
Rastreabilidade de produtos