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NTE4151PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Surface Mount
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8.999 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 500+ | 0,0931 € |
| 1500+ | 0,0921 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTE4151PT1G
Código de encomenda2845376RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id760mA
Drain Source On State Resistance0.36ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation313mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
760mA
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
313mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos