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Quantidade | |
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1+ | 1,260 € |
10+ | 0,867 € |
100+ | 0,702 € |
500+ | 0,481 € |
1000+ | 0,424 € |
5000+ | 0,383 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMYS025N06CLTWG
Código de encomenda3236756
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.0229ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation24W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0229ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0007
Rastreabilidade de produtos