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Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 20 semana(s)
| Quantidade | |
|---|---|
| 3000+ | 0,553 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
1.659,00 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMYS3D8N04CLTWG
Código de encomenda3616528
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance3700µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation55W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.1
Rastreabilidade de produtos