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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,080 € |
| 500+ | 0,864 € |
| 1000+ | 0,830 € |
| 5000+ | 0,729 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
113,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMFS3D0N08XT1G
Código de encomenda4381419RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id154A
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation133W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
154A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
133W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos