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R6035KNZC17
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-3PF, Through Hole
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Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 27 semana(s)
| Quantidade | |
|---|---|
| 300+ | 3,390 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 300
Vários: 300
1.017,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6035KNZC17
Código de encomenda4202964
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation102W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
102W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos