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R6502END3TL1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Surface Mount
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2.495 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,687 € |
| 500+ | 0,562 € |
| 1000+ | 0,493 € |
| 5000+ | 0,448 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6502END3TL1
Código de encomenda4410722RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance4ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation26W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
1.7A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26W
Operating Temperature Max
150°C
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000426
Rastreabilidade de produtos