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RD3L03BATTL1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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726 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,839 € |
| 500+ | 0,671 € |
| 1000+ | 0,623 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3L03BATTL1
Código de encomenda3639762RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation56W
Power Dissipation Pd56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002268