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RQ7G080BGTCR
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Surface Mount
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| Quantidade | |
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| 10+ | 0,627 € |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRQ7G080BGTCR
Código de encomenda3976636
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StyleTSMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TSMT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000012