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RUM002N02T2L
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,312 € |
| 50+ | 0,193 € |
| 250+ | 0,0839 € |
| 1000+ | 0,0712 € |
| 4000+ | 0,0693 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRUM002N02T2L
Código de encomenda2706688
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleVMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
VMT
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.003316
Rastreabilidade de produtos