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SEMIX453GB12E4S
IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX453GB12E4S
Código de encomenda2989777
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current683A
DC Collector Current683A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleSEMiX 3s
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
683A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Continuous Collector Current
683A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
SEMiX 3s
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.345643
Rastreabilidade de produtos