Imprimir página
SKM195GB066D
IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
5 Em Stock
16 Pode reservar stock agora
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 116,420 € |
| 5+ | 109,510 € |
| 10+ | 101,600 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
116,42 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM195GB066D
Código de encomenda2423691
Ficha técnica
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current265A
DC Collector Current265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Descrição geral do produto
The SKM195GB066D is a SEMITRANS® 2 Trench IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and high short-circuit capability, self limiting to 6 x IC.
- Half-bridge switch
- Homogeneous Si
- Trench-gate technology
Aplicações
Power Management, Maintenance & Repair
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Slovak Republic
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Slovak Republic
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.18