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SKM300GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Module
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM300GB12T4
Código de encomenda2423697
Ficha técnica
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SKM300GB12T4
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Slovak Republic
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Slovak Republic
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.18
Rastreabilidade de produtos