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GD100HHU120C6S
IGBT Module, H Bridge, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD100HHU120C6S
Código de encomenda3549221
Ficha técnica
IGBT ConfigurationH Bridge
Continuous Collector Current160A
DC Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation638W
Power Dissipation Pd638W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
IGBT Configuration
H Bridge
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Power Dissipation Pd
638W
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.1V
Power Dissipation
638W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):1.21