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GD50HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 30,740 € |
| 5+ | 28,970 € |
| 10+ | 27,090 € |
| 50+ | 26,110 € |
| 100+ | 25,330 € |
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD50HFX65C1S
Código de encomenda3912062
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current75A
DC Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation205W
Power Dissipation Pd205W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
205W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
205W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.15