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GD650HFX170P1S
IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD650HFX170P1S
Código de encomenda3549271
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current1.073kA
Continuous Collector Current1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation Pd4.2kW
Power Dissipation4.2kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Power Dissipation
4.2kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.9V
Power Dissipation Pd
4.2kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.2