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STB36NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB36NM60ND
Código de encomenda3132713
Gama de produtosFDmesh II
Ficha técnica
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB36NM60ND
Código de encomenda3132713
Gama de produtosFDmesh II
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternativas para STB36NM60ND
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00035
Rastreabilidade de produtos