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STB37N60DM2AG
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB37N60DM2AG
Código de encomenda2522895
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,550 € |
| 5+ | 5,790 € |
| 10+ | 5,030 € |
| 50+ | 4,550 € |
| 100+ | 4,070 € |
| 250+ | 3,990 € |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB37N60DM2AG
Código de encomenda2522895
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.094ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STB37N60DM2AG
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00916
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