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STB3NK60ZT4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB3NK60ZT4
Código de encomenda1751996RL
Gama de produtosSuperMESH
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,276 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB3NK60ZT4
Código de encomenda1751996RL
Gama de produtosSuperMESH
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance3.3ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperMESH
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
3.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperMESH
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0002