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STB80N20M5
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB80N20M5
Código de encomenda2849650
Gama de produtosMdmesh V
Ficha técnica
832 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,100 € |
| 5+ | 5,170 € |
| 10+ | 4,230 € |
| 50+ | 3,950 € |
| 100+ | 3,680 € |
| 250+ | 3,400 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
6,10 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB80N20M5
Código de encomenda2849650
Gama de produtosMdmesh V
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMdmesh V
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Mdmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002