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STD3NK90ZT4
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD3NK90ZT4
Código de encomenda1752038RL
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,210 € |
| 500+ | 0,995 € |
| 1000+ | 0,985 € |
| 5000+ | 0,807 € |
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Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD3NK90ZT4
Código de encomenda1752038RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance4.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The STD3NK90ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is series is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
- Extremely high dV/dt capability
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
4.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000435
Rastreabilidade de produtos