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STD9N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD9N65M2
Código de encomenda2460392
Ficha técnica
1.472 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,860 € |
| 10+ | 1,190 € |
| 100+ | 0,808 € |
| 500+ | 0,592 € |
| 1000+ | 0,544 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,86 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD9N65M2
Código de encomenda2460392
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.79ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The STD9N65M2 is a MDmesh M2 N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET is developed using the MDmesh™ M2 technology which has strip layout associated to an improved vertical structure, the device exhibits both low ON-resistance and optimized switching characteristics. Therefore it is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% Avalanche tested
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.79ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para STD9N65M2
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00033