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STF11NM80
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF11NM80
Código de encomenda1752070
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 5,140 € |
| 10+ | 2,660 € |
| 100+ | 2,530 € |
| 500+ | 2,280 € |
| 1000+ | 2,270 € |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF11NM80
Código de encomenda1752070
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STF11NM80 is a 800V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior.
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Best RDS (on)
- High peak power
- High ruggedness capability
Aplicações
Industrial
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para STF11NM80
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000045