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STF12N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF12N65M2
Código de encomenda3132736
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
621 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,700 € |
| 10+ | 0,926 € |
| 100+ | 0,909 € |
| 500+ | 0,711 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF12N65M2
Código de encomenda3132736
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.42ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.42ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STF12N65M2
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00035