Imprimir página
STFW3N150
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3PF, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTFW3N150
Código de encomenda2098244
Ficha técnica
1.993 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,720 € |
| 10+ | 3,300 € |
| 100+ | 2,870 € |
| 500+ | 2,450 € |
| 1000+ | 2,020 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
3,72 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTFW3N150
Código de encomenda2098244
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin TO-3PF package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4mm typical
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.52
Rastreabilidade de produtos